BSR802NL6327HTSA1 vs IRLML2060TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSR802NL6327HTSA1 بواسطة Infineon و IRLML2060TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSR802NL6327HTSA1 | IRLML2060TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSR802NL6327HTSA1 | — |
| Technology | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) | IR HEXFET (Trench Gate) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 3.7 A (Ta=25C) | — |
| Power Dissipation (PD) max | 500 mW (Ta=25C) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | 23 mOhm @ VGS=4.5 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 1.8 V typical |
| العلبة | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) | SOT-23 (Micro3, 3-pin) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Qualification | Automotive | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| عدد الأطراف | 3 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 1.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 4.8 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 12 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 480 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 650 mOhm (typical 580 mOhm) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.25 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | — | 100 C/W |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| مستوى MSL | — | MSL1 |