BSR802NL6327HTSA1 vs IRLML2060TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSR802NL6327HTSA1 بذریعہ Infineon اور IRLML2060TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ فعال
Infineon
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSR802NL6327HTSA1 IRLML2060TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) IR HEXFET (Trench Gate)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 1.8 V typical
پیکیج PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) SOT-23 (Micro3, 3-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C -55C to +150C
Qualification Automotive —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
پن کی تعداد 3 —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 4.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 12 V
RDS(on) max at VGS=10V — 480 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — 650 mOhm (typical 580 mOhm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.25 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) — 100 C/W
ہیلوجن فری — Yes
MSL لیول — MSL1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں