BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS316NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSS308PEH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
نوع الترانزستور P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C —
العلبة / الحالة PG-SOT23 (SOT-23-3) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
حالة RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Technology — OptiMOS 2 (Trench)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +150 C
العلبة — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
مستوى MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر