BSS816NWH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS816NWH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS214NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS816NWH6327XTSA1 | BSS214NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal) | — |
| نوع الترانزستور | MOSFET, N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | 160 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| العلبة | SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| Technology | OptiMOS 2 trench MOSFET | OptiMOS 2 (planar N-channel) |
| ESD Protection | Yes (integrated, per Infineon datasheet) | Yes (gate ESD diode) |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant, lead-free | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1.5 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 250 mOhm at VGS = 4.5 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±12 V (recommended) |
| Lead Finish | — | Pb-free lead plating (matte tin) |
| حالة RoHS | — | Compliant |