BSS87H6327FTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS87H6327FTSA1 بواسطة Infineon و BSS606NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS87H6327FTSA1 BSS606NH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) 3.2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
العلبة PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT-89 (TO-243AA)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
عدد الأطراف 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per SOT-89 family standard)
Process Technology Vertical DMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS Small Signal/Power
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
On-Resistance (RDS(on)) — 60 mΩ max @ VGS=10 V
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +150°C
Qualification — Automotive (per family page)
Lead-Free — Yes
Reel Quantity — 1000 pcs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر