BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ065N06LS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ036NE2LSATMA1 بواسطة Infineon و BSZ065N06LS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ065N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55°C to +150°C |
| مستوى MSL | 1 (Unlimited) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS™ 5 logic-level |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 65 A |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.5 mΩ |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 46 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.8 nF |