BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ065N06LS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ036NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ065N06LS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ036NE2LSATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55°C to +150°C
MSL لیول 1 (Unlimited) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Series — OptiMOS™ 5
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS™ 5 logic-level
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) Max — 65 A
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.5 mΩ
Power Dissipation (PD) Max — 46 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.3 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=4.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 1.8 nF

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں