BSZ060NE2LSATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ060NE2LSATMA1 بواسطة Infineon و BSC0504NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ060NE2LSATMA1 BSC0504NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ060NE2LSATMA1 —
Technology OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 44 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 26 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-6
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant unknown
مستوى MSL 1 —
Shipping Packaging Tape & Reel —
نوع الترانزستور — N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
عدد الدبابيس — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
جهد عتبة البوابة — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
المقاومة الحرارية — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر