BSZ060NE2LSATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ060NE2LSATMA1 توسط Infineon و BSC0504NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ060NE2LSATMA1 BSC0504NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ060NE2LSATMA1 —
Technology OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 44 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 26 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-6
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant unknown
سطح MSL 1 —
Shipping Packaging Tape & Reel —
نوع ترانزیستور — N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
تعداد پین‌ها — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
ولتاژ آستانه گیت — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
مقاومت حرارتی — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت