BSZ065N03LSATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ065N03LSATMA1 بواسطة Infineon و BSC030N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ065N03LSATMA1 | BSC030N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS 3 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| العلبة / الحالة | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C | — | 23 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3 mOhm |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ | — | 2.2 V |
| Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V | — | 55 nC |
| Output Charge (Qoss) | — | 66 pF |
| Input Capacitance (Ciss) Typ | — | 4.3 nF |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 69 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +150C |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% tested) |