BSZ065N03LSATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ065N03LSATMA1 tarafından Infineon ve BSC030N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ065N03LSATMA1 | BSC030N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS 3 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| Paket / Kas | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | — |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C | — | 23 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3 mOhm |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ | — | 2.2 V |
| Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V | — | 55 nC |
| Output Charge (Qoss) | — | 66 pF |
| Input Capacitance (Ciss) Typ | — | 4.3 nF |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 69 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| Paket | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% tested) |