BSZ070N08LS5ATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ070N08LS5ATMA1 بواسطة Infineon و ISC0802NLSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ نشط
Infineon
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ070N08LS5ATMA1 ISC0802NLSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 74 A (Tc, per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si [DATA_NEEDED: TA-rated ID] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 7 mΩ —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive compatible with 4.5 V) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
Power Dissition PD max at TC 69 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +150 °C —
العلبة PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Reel Quantity 5000 per 13-inch reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5
Part Number — ISC0802NLSATMA1
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 150 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
RDS(on) max at VGS=10V — 3.6 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc — 125 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر