BSZ070N08LS5ATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ070N08LS5ATMA1 द्वारा Infineon और ISC0802NLSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ सक्रिय
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ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ070N08LS5ATMA1 ISC0802NLSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 74 A (Tc, per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si [DATA_NEEDED: TA-rated ID] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 7 mΩ —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive compatible with 4.5 V) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
Power Dissition PD max at TC 69 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +150 °C —
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Reel Quantity 5000 per 13-inch reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5
Part Number — ISC0802NLSATMA1
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 150 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
RDS(on) max at VGS=10V — 3.6 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc — 125 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +175 C

डेटाशीट और संसाधन

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