BSZ070N08LS5ATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ070N08LS5ATMA1 bằng Infineon và ISC0802NLSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ070N08LS5ATMA1 | ISC0802NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 74 A (Tc, per datasheet) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA / Si | [DATA_NEEDED: TA-rated ID] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 7 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic-level (drive compatible with 4.5 V) | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total Qg] | — |
| Power Dissition PD max at TC | 69 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +150 °C | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Reel Quantity | 5000 per 13-inch reel (T&R) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Number | — | ISC0802NLSATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 (Power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 150 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 22 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.6 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 125 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C |