BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ130N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC023N08NS5SCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ130N03LSGATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
تيار التصريف المستمر (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
العلبة PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (junction) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر