BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ130N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC023N08NS5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ130N03LSGATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
پیکیج PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں