BTS3011TEATMA1 vs IFX007TAUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS3011TEATMA1 بواسطة Infineon و IFX007TAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTS3011TEATMA1 IFX007TAUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Motor Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart Low-Side Power Switch Half-Bridge Motor Driver (H-Bridge half)
Number of Channels 1 —
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A 40 A (typical application)
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
العلبة PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO263-7-1 (D2PAK-7) with exposed thermal tab
عدد الدبابيس 5 (4 + Tab) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
البنية الطوبولوجية — High-side P-MOSFET + Low-side N-MOSFET with integrated driver
Supply Voltage Range — 5.5 V to 40 V
MOSFET RDS(on) (typical) — 12.8 mΩ (per switch)
Logic Input HIGH (IN high) — 1.6 V to 2.0 V
Logic Input LOW (IN low) — 1.1 V to 1.3 V
PWM Frequency (max) — 25 kHz
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +150 °C (junction)
Protection Features — Over-temperature, over-current latch, under-voltage lockout, short-circuit
Status Output — Yes (open-drain fault flag)
Current Sensing — Integrated via low-side RDS(on) sensing (no shunt required)
عدد الأطراف — 7 + Tab
مستوى MSL — 3 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (per product family)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر