BTS3110NHUMA1 vs BTS500801TEAAUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS3110NHUMA1 بواسطة Infineon و BTS500801TEAAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTS3110NHUMA1 BTS500801TEAAUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Family Classic HITFET —
Number of Channels 1 1
Switch Type N-Channel (1:1) —
Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS max) 42 V —
Continuous Drain Current 1.4 A —
On-Resistance (RDS(on) typ) 200 mOhm —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS (3.3 V and 5 V) —
On-State Input Voltage (VIH) [DATA_NEEDED: VIH value] —
Off-State Input Voltage (VIL) [DATA_NEEDED: VIL value] —
Status Flag Output Open-drain diagnostic output —
Protection Features ESD, thermal shutdown, over-load current limit —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes - 12 V automotive applications Yes (AEC-Q100 target application)
Product Family — Classic PROFET (smart high-side switch)
البنية الطوبولوجية — 1:1 N-Channel high-side
Nominal Supply Voltage — 12 V
Load Supply Voltage Range — 4.5 V to 28 V
Continuous Load Current — 10 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 10 milliohms (typical)
تكوين الخرج — High-side
Fault Protection — Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD
Diagnostic Output — Current sense (IS pin)
Packaging — Tape & Reel
Power Transistor Technology — N-channel vertical power MOSFET with charge pump

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر