BTS500801TEAAUMA1 vs BTS3011TEATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS500801TEAAUMA1 بواسطة Infineon و BTS3011TEATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BTS500801TEAAUMA1 | BTS3011TEATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Family | Classic PROFET (smart high-side switch) | — |
| البنية الطوبولوجية | 1:1 N-Channel high-side | — |
| Nominal Supply Voltage | 12 V | — |
| Load Supply Voltage Range | 4.5 V to 28 V | — |
| Continuous Load Current | 10 A | 10 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 10 milliohms (typical) | — |
| تكوين الخرج | High-side | — |
| Number of Channels | 1 | 1 |
| Fault Protection | Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD | — |
| Diagnostic Output | Current sense (IS pin) | Open-drain status feedback pin |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| العلبة | PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab) | PG-TO252-5 (DPAK-5) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q100 target application) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Power Transistor Technology | N-channel vertical power MOSFET with charge pump | — |
| Product Type | — | Smart Low-Side Power Switch |
| On-Resistance R_DS(on) (typ.) | — | 11 mΩ |
| Operating Voltage Range | — | 3 V to 28 V |
| Switch Technology | — | N-channel vertical power MOSFET |
| Input Type | — | Logic-level CMOS compatible |
| عدد الدبابيس | — | 5 (4 + Tab) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -40 °C to +150 °C |
| ESD Protection (HBM) | — | ±8 kV (output pin) |
| AEC-Q100 Qualification | — | Grade 1 qualified |
| Integrated Protections | — | Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection |