BTS500801TEAAUMA1 vs BTS3011TEATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BTS500801TEAAUMA1 מאת Infineon ו BTS3011TEATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BTS500801TEAAUMA1 | BTS3011TEATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Product Family | Classic PROFET (smart high-side switch) | — |
| טופולוגיה | 1:1 N-Channel high-side | — |
| Nominal Supply Voltage | 12 V | — |
| Load Supply Voltage Range | 4.5 V to 28 V | — |
| Continuous Load Current | 10 A | 10 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 10 milliohms (typical) | — |
| תצורת מוצא | High-side | — |
| Number of Channels | 1 | 1 |
| Fault Protection | Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD | — |
| Diagnostic Output | Current sense (IS pin) | Open-drain status feedback pin |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| מארז | PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab) | PG-TO252-5 (DPAK-5) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q100 target application) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Power Transistor Technology | N-channel vertical power MOSFET with charge pump | — |
| Product Type | — | Smart Low-Side Power Switch |
| On-Resistance R_DS(on) (typ.) | — | 11 mΩ |
| Operating Voltage Range | — | 3 V to 28 V |
| Switch Technology | — | N-channel vertical power MOSFET |
| Input Type | — | Logic-level CMOS compatible |
| מספר פינים | — | 5 (4 + Tab) |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -40 °C to +150 °C |
| ESD Protection (HBM) | — | ±8 kV (output pin) |
| AEC-Q100 Qualification | — | Grade 1 qualified |
| Integrated Protections | — | Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection |