DS24B33Q+T&R vs DS24B33+ مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ DS24B33Q+T&R بواسطة Maxim Integrated و DS24B33+ بواسطة Analog Devices. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | DS24B33Q+T&R | DS24B33+ |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Maxim Integrated | Analog Devices |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Non-volatile EEPROM (1-Wire) | EEPROM (Non-Volatile) |
| حجم الذاكرة | 4 Kbit (4096 bits) | 4 Kbit (4096 bits) |
| Memory Organization | 16 pages x 256 bits | 16 pages x 256 bits (16 pages x 32 bytes) |
| Scratchpad Size | 32 bytes | 32 bytes (256 bits) |
| الواجهة | 1-Wire (single-conductor) | 1-Wire (single-conductor serial) |
| Write Cycle Time | 2 us (scratchpad, typical) | — |
| Operating Voltage | 3.3 V / 5 V | 2.8 V to 5.25 V |
| Unique ID | 64-bit factory-programmed ROM ID | — |
| Data Retention | 40 years (typical) | — |
| العلبة | 6-TDFN (3x3 mm) with Exposed Pad | TO-92-3 (through-hole) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through-Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +85 C | -40°C to +85°C |
| مستوى MSL | 1 (data undisclosed in sources) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Family Code | 0x23 (1-Wire) | — |
| Write/Erase Endurance | — | 200K cycles per page |
| Unique ROM Registration | — | 64-bit factory-programmed laser ROM |
| Write/Erase Time (typical) | — | 2 µs (page write cycle) |
| عدد الأطراف | — | 3 |
| On-Chip CRC | — | CRC-16 generator |