EDB2432B4MA-1DAUT-F-D vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-D مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EDB2432B4MA-1DAUT-F-D بواسطة Micron Technology و EDB1332BDBH-1DAUT-F-D بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D ✓ نشط
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $2.16
نوع الذاكرة Volatile Memory - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR2
Technology SDRAM - Mobile LPDDR2 —
حجم الذاكرة 2 Gbit (64M x 32) 1 Gbit
التنظيم 64M x 32 32M x 32
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
الواجهة Parallel Parallel
العلبة 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
Package Construction DDP (Double-Die Package) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C (Automotive) [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Marking Code D9WVG —
Part Status Active —
Lead-Free Status Lead free (-F suffix) —
Halogen-Free Status Halogen free (-F suffix) —
جهد التغذية [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] —
Write Cycle Time - Word, Page [DATA_NEEDED: write cycle time] —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.95 V
Access Mode — Single Bank Page Burst
Number of Terminals — 134
Temperature Grade — Automotive
Package Shape — Rectangular
Packaging Suffix — -D (Dry Pack)
Moisture Sensitivity — Dry Pack (per -D suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر