EP1C3T100C8N vs EP1C3T100C8 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP1C3T100C8N بواسطة Intel و EP1C3T100C8 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP1C3T100C8N | EP1C3T100C8 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نهاية العمر الإنتاجي |
| Family | Cyclone | Cyclone I |
| Logic Elements | 2,910 | 2,910 LEs |
| Logic Array Blocks (LABs) | 291 | — |
| Total RAM Bits | 59,904 | 59,904 bits |
| Embedded RAM Blocks | 13 x M4K (4 Kbit each) | — |
| Maximum User I/Os | 65 | — |
| PLLs | 1 | 1 general-purpose PLL |
| Operating Frequency (max) | 275 MHz | — |
| Core Voltage | 1.425 V to 1.575 V | — |
| Process Technology | 130 nm CMOS | — |
| العلبة | TQFP-100 (100-pin Thin Quad Flat Pack), 16 x 16 mm, 0.5 mm pitch | TQFP-100 (14x14 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C (Commercial) | 0C to +85C (commercial) |
| Configuration Interface | Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG | — |
| مستوى MSL | 3 (168 hours) | — |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free, 'N' suffix) | Compliant |
| Core Process | — | 0.13 µm SRAM |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.5 V |
| M4K RAM Blocks | — | 13 (4 Kbit each) |
| Embedded Multipliers | — | Not present on EP1C3 |
| Global Clock Networks | — | 8 |
| User I/O Pins | — | 65 |
| Speed Grade | — | -8 (commercial) |
| Configuration Modes | — | AS, PS, JTAG |
| I/O Standards | — | LVTTL, LVCMOS, SSTL-2/3, LVDS, RSDS |
| Lifecycle | — | EOL per PDN1810 (since 2019) |