EP1C3T100C8N vs EP1C3T100C8 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1C3T100C8N द्वारा Intel और EP1C3T100C8 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP1C3T100C8N | EP1C3T100C8 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | उत्पादन बंद |
| Family | Cyclone | Cyclone I |
| Logic Elements | 2,910 | 2,910 LEs |
| Logic Array Blocks (LABs) | 291 | — |
| Total RAM Bits | 59,904 | 59,904 bits |
| Embedded RAM Blocks | 13 x M4K (4 Kbit each) | — |
| Maximum User I/Os | 65 | — |
| PLLs | 1 | 1 general-purpose PLL |
| Operating Frequency (max) | 275 MHz | — |
| Core Voltage | 1.425 V to 1.575 V | — |
| Process Technology | 130 nm CMOS | — |
| पैकेज | TQFP-100 (100-pin Thin Quad Flat Pack), 16 x 16 mm, 0.5 mm pitch | TQFP-100 (14x14 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (Commercial) | 0C to +85C (commercial) |
| Configuration Interface | Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG | — |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free, 'N' suffix) | Compliant |
| Core Process | — | 0.13 µm SRAM |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.5 V |
| M4K RAM Blocks | — | 13 (4 Kbit each) |
| Embedded Multipliers | — | Not present on EP1C3 |
| Global Clock Networks | — | 8 |
| User I/O Pins | — | 65 |
| Speed Grade | — | -8 (commercial) |
| Configuration Modes | — | AS, PS, JTAG |
| I/O Standards | — | LVTTL, LVCMOS, SSTL-2/3, LVDS, RSDS |
| Lifecycle | — | EOL per PDN1810 (since 2019) |