EP3C120F780C8NAE vs EP3C120F780C7N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3C120F780C8NAE بواسطة Altera و EP3C120F780C7N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP3C120F780C8NAE | EP3C120F780C7N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Altera | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | NRND | نشط |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements | 119,088 | — |
| Embedded Memory (bits) | 3,981,312 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 531 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Maximum User I/O Pins | 531 | — |
| Speed Grade | 8 (commercial) | C7 |
| العلبة | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-pin FBGA (F780) |
| Package Pitch | 1.0 mm | — |
| Package Size | 29 x 29 mm | — |
| Process Node | 65 nm | — |
| Core Voltage | 1.2 V (typ) | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +85C (industrial) | 0C to +85C (commercial) |
| Configuration Modes | JTAG, AS, AP, PS | AS, AP, FPP, PS, JTAG |
| حالة RoHS | Pb-free (lead-free per 'N' suffix) | — |
| Memory Interfaces | DDR, DDR2, QDR II SRAM | — |
| Series | — | EP3C120 |
| Logic Elements (LE) | — | 119,088 |
| Total Memory Bits | — | 3,981,312 |
| Embedded Memory Blocks (M9K) | — | 432 |
| 18x18 Hardware Multipliers | — | 531 |
| Global Clock Networks | — | 20 |
| Maximum User I/O | — | 429 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | 65 nm low-k |
| نوع التركيب | — | Surface Mount (BGA) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (suffix N) |