EP3C120F780C8NAE vs EP3C120F780C7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3C120F780C8NAE द्वारा Altera और EP3C120F780C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3C120F780C8NAE | EP3C120F780C7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Altera | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | सक्रिय |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements | 119,088 | — |
| Embedded Memory (bits) | 3,981,312 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 531 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Maximum User I/O Pins | 531 | — |
| Speed Grade | 8 (commercial) | C7 |
| पैकेज | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-pin FBGA (F780) |
| Package Pitch | 1.0 mm | — |
| Package Size | 29 x 29 mm | — |
| Process Node | 65 nm | — |
| Core Voltage | 1.2 V (typ) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +85C (industrial) | 0C to +85C (commercial) |
| Configuration Modes | JTAG, AS, AP, PS | AS, AP, FPP, PS, JTAG |
| RoHS स्थिति | Pb-free (lead-free per 'N' suffix) | — |
| Memory Interfaces | DDR, DDR2, QDR II SRAM | — |
| Series | — | EP3C120 |
| Logic Elements (LE) | — | 119,088 |
| Total Memory Bits | — | 3,981,312 |
| Embedded Memory Blocks (M9K) | — | 432 |
| 18x18 Hardware Multipliers | — | 531 |
| Global Clock Networks | — | 20 |
| Maximum User I/O | — | 429 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | 65 nm low-k |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (BGA) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (suffix N) |