EP3SE110F780C4 vs EP3SE110F780C3N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE110F780C4 بواسطة Intel و EP3SE110F780C3N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP3SE110F780C4 | EP3SE110F780C3N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 107,500 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 4,300 | 4,300 |
| Embedded Memory | 8,936,448 bits (8.9 Mbit) | TriMatrix (MLAB + M9K + M144K) |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | 896 | — |
| Maximum User I/O | 488 | — |
| العلبة | 780-ball FCBGA (FineLine BGA) | 780-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) |
| Speed Grade | C4 | — |
| Process Node | 40 nm | — |
| Transceiver Data Rate | Up to 1.6 Gbps | — |
| Memory Interface Support | DDR3 up to 800 MHz | — |
| درجة حرارة التشغيل | Commercial (0C to +85C) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | Partial Reconfiguration support | — |
| Logic Elements (LEs) | — | 107,500 |
| Embedded Memory Bits | — | 8,936,448 |
| User I/Os | — | 488 |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| Process Technology | — | 65 nm |
| Maximum Operating Frequency | — | 500 MHz |
| DSP Blocks | — | Yes (integrated, count varies by configuration) |
| Transceiver Channels | — | 8 (multi-gigabit) |
| Configuration Method | — | Serial / Parallel via Quartus II |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (C suffix) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |