EP3SE110F780C4 vs EP3SE110F780C3N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE110F780C4 द्वारा Intel और EP3SE110F780C3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE110F780C4 | EP3SE110F780C3N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 107,500 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 4,300 | 4,300 |
| Embedded Memory | 8,936,448 bits (8.9 Mbit) | TriMatrix (MLAB + M9K + M144K) |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | 896 | — |
| Maximum User I/O | 488 | — |
| पैकेज | 780-ball FCBGA (FineLine BGA) | 780-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) |
| Speed Grade | C4 | — |
| Process Node | 40 nm | — |
| Transceiver Data Rate | Up to 1.6 Gbps | — |
| Memory Interface Support | DDR3 up to 800 MHz | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | Commercial (0C to +85C) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Configuration | Partial Reconfiguration support | — |
| Logic Elements (LEs) | — | 107,500 |
| Embedded Memory Bits | — | 8,936,448 |
| User I/Os | — | 488 |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| Process Technology | — | 65 nm |
| Maximum Operating Frequency | — | 500 MHz |
| DSP Blocks | — | Yes (integrated, count varies by configuration) |
| Transceiver Channels | — | 8 (multi-gigabit) |
| Configuration Method | — | Serial / Parallel via Quartus II |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (C suffix) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |