EP4CE75F29I7N vs EP4CE75F29I7 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CE75F29I7N بواسطة Intel و EP4CE75F29I7 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CE75F29I7N | EP4CE75F29I7 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Family | Cyclone IV E | — |
| Logic Elements (LE) | 75,408 | — |
| Embedded Memory (bits) | 2,810,880 | 2,810,880 |
| Logic Array Blocks (LAB) | 4,633 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 426 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clocks | 20 | — |
| Maximum User I/O Pins | 426 | — |
| I/O Banks | 8 | — |
| العلبة | 780-ball FBGA (F29) | 780-ball FBGA (FineLine BGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +100C (Industrial) | -40 °C to +100 °C (Industrial) |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Process Technology | 60 nm low-k | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | Cyclone IV E |
| Manufacturer | — | Intel (formerly Altera) |
| Logic Elements (LEs) | — | 75,408 |
| Embedded Memory Blocks | — | 274 (M9K) |
| Embedded 18×18 Multipliers | — | 200 |
| User I/O Count | — | 426 |
| Process Node | — | 60 nm low-power CMOS |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.0 V / 1.2 V selectable |
| Configuration Modes | — | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) |
| I/O Standards Supported | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL |
| External Memory Interfaces | — | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM |
| مستوى MSL | — | 3 (168 hours) |