EP4CE75F29I7N vs EP4CE75F29I7 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE75F29I7N द्वारा Intel और EP4CE75F29I7 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE75F29I7N | EP4CE75F29I7 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV E | — |
| Logic Elements (LE) | 75,408 | — |
| Embedded Memory (bits) | 2,810,880 | 2,810,880 |
| Logic Array Blocks (LAB) | 4,633 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 426 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clocks | 20 | — |
| Maximum User I/O Pins | 426 | — |
| I/O Banks | 8 | — |
| पैकेज | 780-ball FBGA (F29) | 780-ball FBGA (FineLine BGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +100C (Industrial) | -40 °C to +100 °C (Industrial) |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Process Technology | 60 nm low-k | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Series | — | Cyclone IV E |
| Manufacturer | — | Intel (formerly Altera) |
| Logic Elements (LEs) | — | 75,408 |
| Embedded Memory Blocks | — | 274 (M9K) |
| Embedded 18×18 Multipliers | — | 200 |
| User I/O Count | — | 426 |
| Process Node | — | 60 nm low-power CMOS |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.0 V / 1.2 V selectable |
| Configuration Modes | — | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) |
| I/O Standards Supported | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL |
| External Memory Interfaces | — | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM |
| MSL स्तर | — | 3 (168 hours) |