EP4CGX50CF23C6N vs EP4CGX50DF23C7N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CGX50CF23C6N بواسطة Intel و EP4CGX50DF23C7N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP4CGX50CF23C6N EP4CGX50DF23C7N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة نشط نشط
Series Cyclone IV GX —
Device Family EP4CGX50 —
Logic Elements (LE) 49,888 —
Configurable Logic Blocks (CLBs) 3,118 3,118
Total Memory Bits 2,562,048 bits —
Embedded Memory Blocks (M9K) 56 —
Embedded 18x18 Multipliers 132 66
Phase-Locked Loops (PLLs) 4 —
Global Clock Networks 11 8 (with up to 16 clock pins per region)
Maximum User I/O 290 —
Transceivers Up to 8 channels at 3.125 Gbps Up to 8 channels, 3.125 Gbps
Core Supply Voltage 1.2 V —
Process Technology 60 nm low-power CMOS 60 nm
العلبة 484-ball FineLine BGA (FBGA-484) 484-ball FBGA (Plastic BGA, S-PBGA-B484, 23x23 mm)
Package Dimensions 23 x 23 mm, 1.0 mm pitch —
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C (Commercial) 0 °C to 85 °C (commercial)
Speed Grade C6 —
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free variant)
Family — Cyclone IV GX
Logic Elements — 49,888
Total RAM Bits — 2,432 Kbit (≈ 304 KB)
PLLs — 2
Number of I/O Pins — 290
Core Supply Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V)
نوع التركيب — Surface Mount
Configuration Modes — Passive Serial (PS), Active Serial (AS), JTAG
Supported Memory Interfaces — DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II
مستوى MSL — 3 (168 hours)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر