EPF10K30ETC144-2 vs EPF10K30ETC144-3N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EPF10K30ETC144-2 بواسطة Intel و EPF10K30ETC144-3N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EPF10K30ETC144-2 EPF10K30ETC144-3N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة Obsolete NRND
Series FLEX 10KE —
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
Logic Elements 1,728 —
Typical Gates 30,000 30,000
Maximum User I/Os 102 —
Logic Array Blocks (LABs) 216 216
Embedded Memory Bits 24,576 24,576
Embedded Array Blocks (EABs) 6 —
العلبة 144-LQFP (TQFP, 20x20 mm) —
Speed Grade -2 —
درجة حرارة التشغيل 0C to +70C (Commercial) 0 °C to 70 °C (Commercial)
Core Voltage (VCCINT) 2.5 V (2.375 V to 2.625 V) —
I/O Voltage (VCCIO) 2.5 V / 3.3 V / 5.0 V (MultiVolt) —
Internal Frequency up to 80 MHz [DATA_NEEDED: internal frequency max]
Propagation Delay (typ.) 0.6 ns —
Configuration Method SRAM, JTAG (IEEE 1149.1) —
Process Technology CMOS, SRAM-based —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Logic Family — CMOS
Logic Elements / Cells — 1,728
User I/Os — 102
عدد الدبابيس — 144
Package Type — TQFP-144 (22 × 22 mm, 0.5 mm pitch)
Package Code — LFQFP
Terminal Form — Gull Wing
Technology — 0.22 µm CMOS, SRAM-based
Core Supply Voltage (VCCINT) — 2.5 V
Propagation Delay — 0.6 ns (typical)
Programming Method — JTAG (IEEE 1149.1), in-system SRAM configuration
Configuration Memory — Volatile SRAM (requires external configuration device)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر