EPF10K30ETC144-2 vs EPF10K30ETC144-3N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF10K30ETC144-2 par Intel et EPF10K30ETC144-3N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF10K30ETC144-2 EPF10K30ETC144-3N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $37,80 $26,75
Series FLEX 10KE —
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
Logic Elements 1,728 —
Typical Gates 30,000 30,000
Maximum User I/Os 102 —
Logic Array Blocks (LABs) 216 216
Embedded Memory Bits 24,576 24,576
Embedded Array Blocks (EABs) 6 —
Boîtier 144-LQFP (TQFP, 20x20 mm) —
Speed Grade -2 —
Température de fonctionnement 0C to +70C (Commercial) 0 °C to 70 °C (Commercial)
Core Voltage (VCCINT) 2.5 V (2.375 V to 2.625 V) —
I/O Voltage (VCCIO) 2.5 V / 3.3 V / 5.0 V (MultiVolt) —
Internal Frequency up to 80 MHz [DATA_NEEDED: internal frequency max]
Propagation Delay (typ.) 0.6 ns —
Configuration Method SRAM, JTAG (IEEE 1149.1) —
Process Technology CMOS, SRAM-based —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Logic Family — CMOS
Logic Elements / Cells — 1,728
User I/Os — 102
Nombre de broches — 144
Package Type — TQFP-144 (22 × 22 mm, 0.5 mm pitch)
Package Code — LFQFP
Terminal Form — Gull Wing
Technology — 0.22 µm CMOS, SRAM-based
Core Supply Voltage (VCCINT) — 2.5 V
Propagation Delay — 0.6 ns (typical)
Programming Method — JTAG (IEEE 1149.1), in-system SRAM configuration
Configuration Memory — Volatile SRAM (requires external configuration device)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis