EPF6010ATC100-3N vs EPF6010ANTC100-3 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EPF6010ATC100-3N بواسطة Intel و EPF6010ANTC100-3 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Intel
EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel
EPF6010ATC100-3N ⚠ آخر فرصة للشراءIntel
EPF6010ANTC100-3 - FLEX 6000 FPGA 880 LE 71 I/O 100-TQFP | Intel
EPF6010ANTC100-3 ⚠ آخر فرصة للشراءمقارنة المواصفات
| المعامل | EPF6010ATC100-3N | EPF6010ANTC100-3 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | آخر فرصة للشراء | آخر فرصة للشراء |
| Family | FLEX 6000 | FLEX 6000 |
| Logic Elements / Cells | 880 | — |
| Equivalent Gate Count | 10,000 gates | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 88 | — |
| User I/Os | 71 | — |
| Supply Voltage (Operating) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| Maximum Internal Frequency | 142.86 MHz | — |
| Process Technology | 0.42 µm CMOS | 0.42 µm CMOS SRAM |
| Speed Grade | -3 | -3 |
| العلبة | 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm) | 100-TQFP |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0 °C to +70 °C (commercial) | — |
| Programming Method | In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster | — |
| مستوى MSL | 3 (168 hours) | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Logic Elements | — | 880 LE |
| User I/O Count | — | 71 |
| Embedded Memory | — | 16000 bit |
| Number of Logic Array Blocks (LABs) | — | 8 |
| Core Voltage | — | 5 V |
| Configuration Interface | — | JTAG (IEEE 1149.1) / Serial / Parallel |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| I/O Standards Supported | — | LVTTL, LVCMOS, PCI (MultiVolt I/O) |
| Programmable Interconnect | — | Continuous FastTrack |