H58G66CK8BX147N vs MT53E2G64D8TN-046 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H58G66CK8BX147N بواسطة SK hynix و MT53E2G64D8TN-046 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT53E2G64D8TN-046 MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H58G66CK8BX147N MT53E2G64D8TN-046
العلامة التجارية SK hynix Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة LPDDR5X SDRAM Mobile LPDDR4X SDRAM
Density 64 Gbit (8 GB) —
التنظيم x8 (single channel) 2G x 64
Maximum Data Rate 8533 Mbps —
Supply Voltage Domain 0.5 V to 1.8 V —
Core Voltage Class 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) —
العلبة 315-ball FBGA 556-ball LFBGA (12.4 mm x 12.4 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Standard Compliance JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) —
الواجهة LPDDR5/LPDDR5X protocol Parallel
Channel Configuration Single channel (x8 or x16 capable family) —
Power Management Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) —
Application Domain Smartphone, AI edge, server-class mobile computing —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Refresh Scheme LPDDR5 per-bank / all-bank refresh —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
حجم الذاكرة — 128 Gbit (16 GB)
Clock Frequency — 2.133 GHz
Access Time — 3.5 ns
Speed Grade — -046 (4266 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V / 1.8 V (per variant)
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch]
Operating Temperature (AAT:C) — 0C to +95C
Operating Temperature (AIT:C) — -40C to +95C
Operating Temperature (AUT:C) — -40C to +105C
Automotive Qualification (AUT variant) — AEC-Q100 qualified
عرض ناقل البيانات — 64 bit
Write Cycle Time — 18 ns

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر