H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| الواجهة | DDR4 (Double Data Rate IV) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| العلبة | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | 2400 MT/s |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | DDR4 bank group architecture |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Self-refresh and auto-refresh support |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | On-die termination (ODT) |
| حالة RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |