H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHI مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-RDC توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHI توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ فعال
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-UHI
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
سازمان 512M x 8 512M x 8
رابط DDR4 (Double Data Rate IV) JEDEC DDR4 SDRAM
بسته‌بندی 78-ball FBGA FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
ولتاژ تغذیه [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
نرخ داده [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2400 MT/s
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) DDR4 bank group architecture
Refresh Auto-refresh and self-refresh Self-refresh and auto-refresh support
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Termination On-Die Termination (ODT) On-die termination (ODT)
وضعیت RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Grade — Industrial (-UHI suffix)
دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
تأخیر CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400]
سطح MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت