H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (PC2400) | 2400 MT/s |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| العلبة | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| حالة RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | Self-refresh and auto-refresh support |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |