H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-VKI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging | Tray | — |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| Density | — | 4 Gb |
| التنظيم | — | 512M x 8 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| I/O Voltage | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Speed Grade | — | V (2666) |
| Temperature Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Architecture | — | CMOS, 8n prefetch, bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| DBI Support | — | Yes (Data Bus Inversion / DM) |