H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NAFR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NAFR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 2400 MT/s | 2400 MT/s |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | Yes |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | Yes |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |