H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix و H5AN8G6NAFR توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| نرخ داده | 2400 MT/s | 2400 MT/s |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | Yes |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | Yes |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |