H5AN8G6NAFR vs AS4C512M16D4A-62BCN مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NAFR بواسطة SK hynix و AS4C512M16D4A-62BCN بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NAFR | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Alliance Memory |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 2400 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | 0°C to 95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| زمن الوصول CAS | — | 18 ns |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| الواجهة | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |