H5AN8G6NAFR vs AS4C512M16D4A-62BCN השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NAFR מאת SK hynix ו AS4C512M16D4A-62BCN מאת Alliance Memory. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NAFR | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Alliance Memory |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| קצב נתונים | 2400 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +85°C | 0°C to 95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gbit |
| השהיית CAS | — | 18 ns |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| ממשק | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |