H5AN8G6NCJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-RDC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NCJR-RDC بواسطة SK hynix و H5ANAG8NBJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN8G6NCJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون In Stock —
سعر الوحدة (USD) $19.69 —
Memory Density 8 Gb (8589934592 bit) —
التنظيم 512M x 16 2G x 8
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Technology CMOS —
Package Code TFBGA (PBGA96) —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER —
Data Rate Family [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] —
Supply Voltage Class [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
حالة RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) Compliant (lead-free PBGA per family product data)
Density — 16 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
الواجهة — SSTL12
Speed Grade (suffix R) — DDR4-2666 class
العلبة — 78-ball FBGA
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet)
Bank Groups — 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet)
Data Strobe — DQS with read/write training
Data Bus Inversion — Supported (DBI)
زمن الوصول CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
حالة دورة الحياة — Active

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر