H5AN8G6NCJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-RDC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NCJR-RDC توسط SK hynix و H5ANAG8NBJR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NCJR-RDC | H5ANAG8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $19.69 | — |
| Memory Density | 8 Gb (8589934592 bit) | — |
| سازمان | 512M x 16 | 2G x 8 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Technology | CMOS | — |
| Package Code | TFBGA (PBGA96) | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Data Rate Family | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) | Compliant (lead-free PBGA per family product data) |
| Density | — | 16 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| رابط | — | SSTL12 |
| Speed Grade (suffix R) | — | DDR4-2666 class |
| بسته‌بندی | — | 78-ball FBGA |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) |
| Bank Groups | — | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) |
| Data Strobe | — | DQS with read/write training |
| Data Bus Inversion | — | Supported (DBI) |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| وضعیت چرخه عمر | — | Active |