H5AN8G8NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NAFR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NAFR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NAFR-RDC | H5AN8G6NAFR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 1G x 8 (x8) | 512M x 16 |
| الواجهة | DDR4 (Double Data Rate 4) | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Speed Grade | -RDC (DDR4-2666 class) | -RDC (see datasheet for bin timing) |
| معدل البيانات | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Wordline Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Banks / Bank Groups | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / Jul. 2017 | — |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing) |
| Technology | — | CMOS |
| Family | — | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Max Clock Rate | — | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] |