H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG8NAMR-UHC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NAMR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG8NAMR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
التنظيم 1G x 16 2G x 8
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
العلبة FBGA-96 (PBGA96) FBGA-78
نوع التركيب Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
نوع الواجهة Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free FBGA package)
حالة دورة الحياة Active production —
Manufacturer — SK Hynix
Density — 16 Gbit
معدل البيانات — DDR4-2400 (2400 MT/s)
جهد التغذية — 1.2 V
الواجهة — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر