H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NAMR-UHC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NAMR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NAMR-UHC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Mobile LPDDR4 Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) 16 Gbit (2 GB)
التنظيم 1G x 16 1G x 16
الواجهة CMOS, Double Data Rate IV —
العلبة FBGA-96 (PBGA-96) FBGA-96 (PBGA96)
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] 1.2 V
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
زمن الوصول CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
نوع الواجهة — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
حالة دورة الحياة — Active production

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر