H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG8NBJR-VKC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG8NAMR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG8NBJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NBJR-VKC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer SK Hynix —
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
التنظيم 2G x 8 2G x 8
معدل البيانات DDR4-2400 (2400 MT/s) —
جهد التغذية 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
العلبة FBGA-78 FBGA-78
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
الواجهة Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
حالة RoHS Compliant (lead-free FBGA package) Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر