H5TC4G63CFR-H9I vs H5TC4G63CFR-PBA مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63CFR-H9I بواسطة SK hynix و H5TC4G63CFR-PBA بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ نشط
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-PBA
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $6.23
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
التنظيم 256M x 16 256M x 16
جهد التغذية 1.35 V —
I/O Voltage 1.35 V —
معدل البيانات 1866 Mbps (PC3-14900) —
العلبة 96-ball TFBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Number of Terminals 96 —
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes Yes
خالٍ من الهالوجين Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
زمن الوصول CAS Programmable (11, 12, 13) —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes
RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر